[发明专利]使用高纯度离子喷淋制造SOI结构有效
| 申请号： | 200780020321.6 | 申请日： | 2007-05-24 |
| 公开（公告）号： | CN101461055A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | J·S·希特斯;K·P·加德卡里;R·O·马斯克梅耶 | 申请（专利权）人： | 康宁股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L21/265;B01D59/48;H01J37/08 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 项 丹 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开使用纯化的离子喷淋用于将离子注入施主基片，制造SOI和SOG结构的方法。纯化的离子喷淋提供了有利的，有效的，低成本而高效率的离子注入，同时使对脱落膜是损害最小。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 纯度 离子 喷淋 制造 soi 结构 | ||
【主权项】：
1. 一种形成SOI结构的方法，该方法包括以下步骤：(I)提供施主基片，该基片包括具有第一施主外表面的半导体材料；和(II)使用通过电磁分离纯化的第一离子喷淋，将属于第一类物质的许多离子通过所述第一施主外表面注入在所述第一施主外表面下方一定深度的离子注入区，使夹在所述离子注入区和第一施主外表面之间的材料，即“脱落膜”，的至少50纳米厚度部分的结构基本不受损害。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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