[发明专利]用于受限区域平坦化的设备和方法有效

专利信息
申请号: 200780019913.6 申请日: 2007-03-27
公开(公告)号: CN101454105A 公开(公告)日: 2009-06-10
发明(设计)人: 约翰·M·博伊德;弗里茨·C·雷德克;耶兹迪·多尔迪;迈克尔·拉夫金;约翰·德拉里奥斯 申请(专利权)人: 朗姆研究公司
主分类号: B23H3/00 分类号: B23H3/00;H01L21/302;H01L21/306;H01L21/461
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 代理人: 章社杲;吴贵明
地址: 美国加利*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 提供用于执行半导体晶片的受限区域平坦化的临近头和相关使用方法。该临近头包括限定为保持电解液的室。阴极设置在该室内并暴露于该电解液。阳离子交换隔膜设在该室的下部开口上,从而该阳离子交换隔膜的顶部表面直接暴露于保持在该室内的电解液。该临近头还包括流体供应通道,限定为驱除流体到邻近该阳离子交换隔膜下部表面的位置。另外,真空通道限定为在邻近该阳离子交换隔膜下部表面的位置提供吸力,从而使从该流体供应通道驱除的流体在该阳离子交换隔膜的下部表面上流动。
搜索关键词: 用于 受限 区域 平坦 设备 方法
【主权项】:
1. 一种用于受限区域平坦化的临近头,包括:室,限定为保持电解液;阴极,设在该室内并暴露于该电解液;阳离子交换隔膜,设置在该室的下部开口上,该阳离子交换隔膜顶部表面直接暴露于保持在该室内的电解液;流体供应通道,限定为驱除流体到邻近该阳离子交换隔膜下部表面的位置;以及真空通道,限定为在邻近该阳离子交换隔膜下部表面的位置提供吸力,从而使从该流体供应通道驱除的流体流过该阳离子交换隔膜的下部表面。
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