[发明专利]激光烧蚀抗蚀剂有效
| 申请号： | 200780019759.2 | 申请日： | 2007-05-15 |
| 公开（公告）号： | CN101454720A | 公开（公告）日： | 2009-06-10 |
| 发明（设计）人： | S·E·飞利普;T·J·崔威尔;L·W·塔特;G·T·皮尔斯;K·恩古颜;R·M·威克勒 | 申请（专利权）人： | 伊斯曼柯达公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00;B23K26/40 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 赵苏林;韦欣华 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通过将第一层抗蚀剂(12)涂覆在基板(10)上制造微结构器件的方法。通过该抗蚀剂的辐射引发的热去除在该基板上产生图案。 | ||
| 搜索关键词： | 激光 烧蚀抗蚀剂 | ||
【主权项】：
1. 一种微结构器件的制造方法，包括：在基板上涂覆第一层抗蚀剂材料；和通过所述第一抗蚀剂材料的成像式辐射引发的热去除，在所述基板材料上产生图案。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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