[发明专利]用于混合集成1XN DWDM发射机的方法和系统有效
| 申请号： | 200780018559.5 | 申请日： | 2007-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN101449491A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 沈晓安;白聿生 | 申请（专利权）人： | 华为技术有限公司 |
| 主分类号： | H04B10/04 | 分类号： | H04B10/04;G02B6/12 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人： | 夏 青 |
| 地址： | 518129中国广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种集成的DWDM发射机装置，包括位于第一支撑部件上的硅基二氧化硅衬底。硅基二氧化硅衬底包括位于硅衬底上的二氧化硅层。第一支撑部件的热膨胀系数和硅衬底的热膨胀系数基本上匹配。光复用器位于二氧化硅层内，并包括多个输入波导和至少一个输出波导。此外，该装置包括连接至第一支撑部件的侧表面的第二支撑部件。一个或多个半导体激光器阵列芯片位于第二支撑部件上。所述一个或多个半导体芯片的热膨胀系数和所述第二支撑部件的热膨胀系数基本上匹配。此外，所述一个或多个激光器阵列芯片的每一个均包括一个或多个激光器，每个激光器光耦合所述多个输入波导中相应的一个。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 混合 集成 xn dwdm 发射机 方法 系统 | ||
【主权项】：
1、一种集成的密集波分复用发射机装置，所述装置包括：第一支撑部件；位于所述第一支撑部件上的硅基二氧化硅衬底，所述硅基二氧化硅衬底包括位于硅衬底上的二氧化硅层，所述第一支撑部件的热膨胀系数和所述硅衬底的热膨胀系数基本上匹配；位于所述二氧化硅层内的光复用器，所述光复用器包括多个输入波导和至少一个输出波导；连接至所述第一支撑部件的侧表面的第二支撑部件；以及位于所述第二支撑部件上的一个或多个半导体激光器阵列芯片，所述一个或多个半导体芯片的热膨胀系数和所述第二支撑部件的热膨胀系数基本上匹配，所述一个或多个激光器阵列芯片的每一个均包括一个或多个激光器，所述一个或多个激光器中的每一个光耦合所述多个输入波导中相应的一个。
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