[发明专利]Ti类膜的成膜方法和存储介质

摘要

本发明提供一种Ti类膜的成膜方法和存储介质，该Ti类膜的成膜方法包括：在基座上不存在晶片(W)的状态下向腔室内导入含氟的清洗气体而对腔室内进行清洗的工序(工序1)；在基座上不存在晶片(W)的状态下对基座进行加热，并从喷淋头向腔室内喷出含Ti的处理气体，至少在喷淋头的表面形成预敷膜的工序(工序2)；和之后，在已加热基座(2)的状态下将晶片载置于其上，通过向腔室(1)内供给处理气体而在晶片(W)上形成Ti类膜的工序(工序3)，其中，使基座的温度低于成膜工序时的温度进行预敷膜形成工序。

主权项

1. 一种Ti类膜的成膜方法，其为使用一种装置在被处理体的表面形成Ti类膜的方法，该装置具有收纳被处理体的腔室、向所述腔室内喷出含Ti的处理气体的气体喷出部件、在所述腔室内载置被处理体且至少表面由含Al材料构成的载置台、和对所述载置台进行加热的加热单元，该Ti类膜的成膜方法的特征在于，包括：在所述载置台上不存在被处理体的状态下将含氟的清洗气体导入所述腔室内对所述腔室内进行清洗的工序；在所述载置台上不存在被处理体的状态下通过所述加热单元对所述载置台进行加热，并使所述处理气体从所述气体喷出部件向所述腔室内喷出，至少在所述气体喷出部件的表面形成预敷膜的工序；和之后，在已通过所述加热单元对所述载置台进行加热的状态下，在其之上载置被处理体，向所述腔室内供给所述处理气体，由此在被处理体上形成Ti类膜，其中，在形成所述预敷膜时，使所述载置台的温度低于形成所述Ti类膜时的温度。