[发明专利]通过蚀刻半导体晶片制造的低维热电装置无效
| 申请号： | 200780017100.3 | 申请日： | 2007-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN101449403A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 法齐拉·塞克;弗雷德·沙里菲 | 申请（专利权）人： | 通用电气公司 |
| 主分类号： | H01L35/30 | 分类号： | H01L35/30;H01L35/34 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 封新琴 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 在一些实施方式中，本发明涉及包括纳米结构热电元件的热电装置，所述纳米结构热电元件通过蚀刻掺杂半导体晶片形成。本发明还涉及制造和使用所述热电装置的方法，以及使用所述装置的系统。所述装置及其制造的特征在于采用“自上而下”方法形成其中使用的纳米结构热电材料或低维热电材料。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 蚀刻 半导体 晶片 制造 热电 装置 | ||
【主权项】：
1. 一种热电装置包括：a)其上设置有第一图案化电极的第一导热基底；b)其上设置有第二图案化电极的第二导热基底，其中布置所述第一和第二导热基底，以使所述第一和第二图案化电极连接形成连续电路；c)位于所述第一和第二图案化电极之间的多个热电元件，其中所述热电元件包含多个纳米结构，并且其中所述纳米结构通过电化学蚀刻掺杂半导体材料形成；和d)设置在所述多个热电元件与所述第一和第二图案化电极中至少一个之间的连接材料。
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