[发明专利]数据储存器件和方法

摘要

提供一种串行磁性大容量储存器件及其数据储存方法，其中在纳米线中以多个单磁畴编码数据。在本发明中，纳米线(10)沿着它们的长度提供有多个凹口(12)，以形成磁畴壁钉栓位点。而且，凹口由加热电极以组(A、B、C)寻址。通过与沿着纳米线的操作场(H)的对准和反对准同步地交替加热控制寄宿有头对头和尾对尾磁畴壁(16、18)的凹口，来通过以毛虫或蠕虫状的运动交替移动所述头对头和尾对尾磁畴壁，使磁畴(14)沿着纳米线移动，其中所述磁畴在它们在加热和交替操作场的联合协同作用下沿着纳米线移动时，以一个凹口间距渐进地加长和缩短。从互连和制造的角度来看，该方案可以在衬底的平面之外几乎无限制地放缩，以提供数百或数千的纳米线叠层，由此实现储存信息非常密集的三维网络。

主权项

1. 一种串行数据储存器件，包括：衬底；在衬底上以三维配置的磁性材料的纳米线的阵列，其中所述纳米线在y方向上延伸且在x和z方向上相互隔开，形成纳米线层的叠层，其中每个纳米线被形成为能够沿着其长度支持多个单磁畴，所述磁畴被磁畴壁隔开，其中所述纳米线沿着它们的长度具有多个磁畴壁钉栓位点；磁场源，其配置来产生操作场，该操作场能够通过沿着纳米线的在与第一方向对准和反对准之间交替的分量的作用，使磁畴壁沿着纳米线在钉栓位点之间移动；和去钉栓信号产生器，其配置来与所述操作场分量与所述第一方向的对准和反对准同步地交替施加去钉栓信号到寄宿有头对头和尾对尾磁畴壁的钉栓位点，由此通过交替移动所述头对头和尾对尾磁畴壁来使磁畴沿着纳米线在第一方向上移动。