[发明专利]半导体器件的制造方法有效
| 申请号： | 200780014616.2 | 申请日： | 2007-05-28 |
| 公开（公告）号： | CN101427608A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 藤井照幸 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H05B33/10 | 分类号： | H05B33/10;H01L51/50;H05B33/12;H05B33/14;H05B33/22 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 屠长存 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明涉及提供一种以低成本制造的具有良好再现性的半导体器件。一种半导体器件的制造方法包括步骤：在基板上方形成第一电极；在所述基板和所述第一电极上方形成绝缘层；将模具压向所述绝缘层以在所述绝缘层中形成开口；使所述模具与形成所述开口的所述绝缘层分离；硬化形成所述开口的所述绝缘层以形成分隔壁；在所述第一电极和所述分隔壁上方形成发光层；和在所述发光层上方形成第二电极。该绝缘层包含热塑性树脂材料或光可固化树脂材料。分隔壁具有20至50°的截面锥角，且圆化其顶部和底部的边缘。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种用于制造半导体器件的方法，包括如下步骤：在基板上方形成第一电极；在所述基板和所述第一电极上方形成包含热塑性树脂材料或热固性树脂材料的绝缘层；将模具压向所述绝缘层以在所述第一电极上方的所述绝缘层中形成开口；使所述模具与其中形成有所述开口的所述绝缘层分离；在分离所述模具之后，硬化其中形成有所述开口的所述绝缘层以形成分隔壁；在所述第一电极和所述分隔壁上方形成发光层；和在所述发光层上方形成第二电极。
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