[发明专利]静态随机存取存储器单元无效
| 申请号： | 200780014549.4 | 申请日： | 2007-04-19 |
| 公开（公告）号： | CN101427321A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | 兰尼克·K·M·NG;赫尔本·多图博斯;拉杜·苏尔代亚努 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/412 | 分类号： | G11C11/412 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 提供了一种静态随机存取存储器装置。SRAM存储器装置包括耦合在第一节点(A)和位线条(BLB)之间的第一门FET(T6)。第二门FET(T1)耦合在第二节点(B)和位线(BL)之间。第二节点(B)与第一门FET(T6)耦合，并且根据在第二节点(B)处的电压(VB)切换第一门FET(T6)。第一节点(A)与第二门FET(T1)耦合。根据在第一节点(A)处的电压(VA)切换第二门FET(T1)。 | ||
| 搜索关键词： | 静态 随机存取存储器 单元 | ||
【主权项】：
1、一种静态随机存取存储器装置，包括：—耦合在第一节点(A)和位线条(BLB)之间的第一门FET(T6)，—耦合在第二节点(B)和位线(BL)之间的第二门FET(T1)，其中，第二节点(B)与第一门FET(T6)耦合，并且根据第二节点(B)处的电压(VB)切换第一门FET(T6)，其中，第一节点(A)与第二门FET(T1)耦合，其中根据第一节点(A)处的电压(VA)切换第二门FET(T1)。
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