[发明专利]用于半导体制造的石英玻璃元件及其生产方法有效
| 申请号： | 200780013293.5 | 申请日： | 2007-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN101426744A | 公开（公告）日： | 2009-05-06 |
| 发明（设计）人： | J·韦伯;T·萨托;R·施奈德;A·霍夫曼;C·格鲍尔 | 申请（专利权）人： | 赫罗伊斯石英玻璃股份有限两合公司;信越石英株式会社 |
| 主分类号： | C03C3/06 | 分类号： | C03C3/06;C03B20/00;C03C4/20 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 吕彩霞;李连涛 |
| 地址： | 德国*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 本发明始于用于半导体制造的已知石英玻璃元件，该元件至少在近表面区具有第一掺杂剂和第二氧化掺杂剂的共掺杂，所述第二掺杂剂含一种或多种浓度各为0.1～3wt％的稀土金属(以SiO2和掺杂剂的总质量为基准计算)。由此开始，为了提供用于在腐蚀作用环境中半导体制造的以高纯度和高耐干腐蚀著称并避免了由用氧化铝共掺杂所造成的已知缺点的石英玻璃元件，按照本发明建议：第一掺杂剂应是氮以及石英玻璃内亚稳定羟基的平均含量应小于30wtppm。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 制造 石英玻璃 元件 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1. 用于半导体制造的石英玻璃元件，它在至少近表面区内具有第一掺杂剂和第二氧化掺杂剂的共掺杂，所述第二掺杂剂含一种或多种浓度各为0.1～3wt％的稀土金属(以SiO2和掺杂剂的总质量为基准计算)，其特征在于，第一掺杂剂是氮以及该石英玻璃内亚稳定羟基的平均含量少于30wtppm。
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