[发明专利]使用光学计量来测量晶片上形成的受损结构有效
| 申请号： | 200780012394.0 | 申请日： | 2007-03-29 |
| 公开（公告）号： | CN101416043A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 凯文·拉利;麦里特·法克;冉德哈·散达冉冉珍 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | G01N21/00 | 分类号： | G01N21/00 |
| 代理公司： | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 柳春雷;南 霆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种使用光学计量来测量半导体晶片上形成的受损结构的方法。该方法包括从受损周期结构获得测得的衍射信号。定义该受损周期结构的假想轮廓。该假想轮廓具有未受损部分和受损部分，所述未受损部分对应所述受损周期结构中第一材料的未受损区域，所述受损部分对应所述受损周期结构中第一材料的受损区域。所述未受损部分和受损部分具有与其相关联的不同特性。使用所述假想轮廓来计算假想受损周期结构的模拟衍射信号。比较所述测得的衍射信号和所述模拟衍射信号。如果所述测得的衍射信号和所述模拟衍射信号在匹配判据下匹配，则基于用于计算所述模拟衍射信号的所述假想轮廓的受损部分，得到所述受损周期结构的损伤量。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 光学 计量 测量 晶片 形成 受损 结构 | ||
【主权项】：
1、一种使用光学计量来测量半导体晶片上形成的受损结构的方法，该方法包括：从受损周期结构获得测得的衍射信号；定义该受损周期结构的假想轮廓，所述假想轮廓具有未受损部分和受损部分，所述未受损部分对应所述受损周期结构中第一材料的未受损区域，所述受损部分对应所述受损周期结构中第一材料的受损区域，并且其中所述未受损部分和受损部分具有与其相关联的不同特性；使用所述假想轮廓来计算假想受损周期结构的模拟衍射信号；比较所述测得的衍射信号和所述模拟衍射信号；以及如果所述测得的衍射信号和所述模拟衍射信号在匹配判据下匹配，则基于用于计算所述模拟衍射信号的所述假想轮廓的受损部分，得到所述受损周期结构的损伤量。
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