[发明专利]外延片的制造方法有效
| 申请号： | 200780012151.7 | 申请日： | 2007-01-24 |
| 公开（公告）号： | CN101415866A | 公开（公告）日： | 2009-04-22 |
| 发明（设计）人： | 古屋田荣;高石和成;桥井友裕;村山克彦;加藤健夫 | 申请（专利权）人： | 胜高股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/06 | 分类号： | C30B29/06;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 熊玉兰;李平英 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种可以减少外延层形成的表面缺陷及滑移的发生的外延片的制造方法。该外延片的制造方法的特征在于，包括：根据晶片表面形状控制对晶片表面的蚀刻液的使用，以此平滑化所述晶片表面的平滑化工序；和通过外延生长在所述晶片表面上形成单晶硅构成的外延层的外延层形成工序。 | ||
| 搜索关键词： | 外延 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 外延片的制造方法，其特征在于，包括：根据晶片表面形状控制对所述晶片表面的蚀刻液的使用，以此平滑化所述晶片表面的平滑化工序；和通过外延生长在所述晶片表面上形成单晶硅构成的外延层的外延层形成工序。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于胜高股份有限公司，未经胜高股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780012151.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
