[发明专利]生长的纳米鳍晶体管有效
| 申请号： | 200780011084.7 | 申请日： | 2007-04-03 |
| 公开（公告）号： | CN101410961A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 伦纳德·福布斯 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/78;H01L21/8242;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王允方 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明主题的一个方面涉及一种用于形成晶体管的方法。根据一实施例，在结晶衬底上形成非晶半导体材料鳍，且执行固相外延(SPE)工艺以使用所述结晶衬底作为晶体生长的晶种来使所述非晶半导体材料结晶。所述鳍在至少一个方向上具有小于最小特征大小的横截面厚度。在所述结晶半导体柱中在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间形成晶体管主体。在所述半导体柱周围形成环绕栅极绝缘体，且在所述半导体柱周围形成环绕栅极并通过所述环绕栅极绝缘体使其与所述半导体柱分离。本文中提供其它方面。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 纳米 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成晶体管的方法，其包含：形成晶体管主体，其包括：在结晶衬底上形成非晶半导体材料鳍，所述鳍在至少一个方向上具有小于最小特征大小的横截面厚度；以及执行固相外延(SPE)工艺以使用所述结晶衬底作为晶体生长的晶种来使所述非晶半导体材料结晶，所述晶体管主体经形成在所述结晶半导体柱中在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间；在所述半导体柱周围形成环绕栅极绝缘体；以及在所述半导体柱周围形成环绕栅极并通过所述环绕栅极绝缘体使其与所述半导体柱分离。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于美光科技公司，未经美光科技公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780011084.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于改进装置翘曲和焊球共面性的半导体组合件
- 下一篇：电子标签
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
