[发明专利]等离子体CVD设备、形成薄膜的方法及半导体装置有效
| 申请号： | 200780010859.9 | 申请日： | 2007-03-23 |
| 公开（公告）号： | CN101410958A | 公开（公告）日： | 2009-04-15 |
| 发明（设计）人： | 熊田辉彦;信时英治;保田直纪 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/314 | 分类号： | H01L21/314;H01L21/31;C23C16/507 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 李 帆 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供了一种等离子体CVD设备，所述等离子体CVD设备包括：具有用于供给具有环硼氮烷骨架化合物的入口(5)的反应室(1)；设置在反应室(1)中的供电电极(7)，用于支承衬底(8)并且被施加负电荷(7)；以及等离子体产生工具(12)，其介由衬底(8)与供电电极(7)相对设置，用于在反应室(1)内产生等离子体(11)。还提供了一种薄膜形成方法，其中薄膜通过采用具有环硼氮烷骨架的化合物作为原料而形成，以及包括由这样方法形成的薄膜作为绝缘膜的半导体装置。本发明能够产生其中低介电常数和高机械强度可稳定保持长时间且保证绝缘特性的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 等离子体 cvd 设备 形成 薄膜 方法 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.等离子体CVD设备，包含：反应室(1)，其具有用于供给具有环硼氮烷骨架的化合物的入口(5)；供电电极(7)，设置在所述反应室(1)内，用于支承衬底(8)并且被施加负电荷；和等离子体产生工具(12)，介由所述衬底(8)与所述供电电极(7)相对设置，用于在所述反应室(1)内产生等离子体(11)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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