[发明专利]电力用半导体器件有效
| 申请号： | 200780007843.2 | 申请日： | 2007-03-19 |
| 公开（公告）号： | CN101395701A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 大塚健一;三浦成久;今泉昌之;大森达夫 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L29/12;H01L29/417;H01L29/78 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 岳耀锋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的目的在于提供一种电力用半导体器件，在高温工作中难以发生布线的金属材料与连接到半导体区上的电极等的反应而且在高温工作中难以发生变形。为了达到该目的，根据本发明的电力用半导体器件是SiC功率器件等的电力用半导体器件，在源区(4)等的半导体区之上形成的源电极(11)上形成了包含Pt、Ti、Mo、W、Ta中的至少一种的第1金属层(14)。在第1金属层(14)上形成了包含Mo、W、Cu中的至少一种的第2金属层(15)。在第2金属层(15)上形成了包含Pt、Mo、W中的至少一种的第3金属层(16)。 | ||
| 搜索关键词： | 电力 半导体器件 | ||
【主权项】：
1. 一种电力用半导体器件，其特征在于，具备：具有表面的半导体层(2)；以在上述半导体层的上述表面的至少一部分上露出的方式在上述半导体层内形成的、预定的导电类型的半导体区(13)；在上述半导体区上形成的第1绝缘膜(8)；在上述半导体区上或上述第1绝缘膜上形成的电极(9，11)；在上述电极上形成的、而且包含Pt、Ti、Mo、W、Ta中的至少一种的第1金属层(14)；以及在上述第1金属层上形成的、而且包含Mo、W、Cu中的至少一种的第2金属层(15)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
