[发明专利]非易失性存储元件、非易失性存储装置、以及它们的制造方法有效
| 申请号： | 200780007376.3 | 申请日： | 2007-03-06 |
| 公开（公告）号： | CN101395716A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 川岛良男;高木刚;三河巧;魏志强 | 申请（专利权）人： | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;G11C13/00 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙 淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种非易失性存储元件，其包括：下部电极层(2)；在下部电极层(2)的上方形成的上部电极层(4)；和在下部电极层(2)与上部电极层(4)之间形成的金属氧化物薄膜层(3)，金属氧化物薄膜层(3)包括：通过在下部电极层(2)与上部电极层(4)之间施加的电脉冲而电阻值增加或减少的第一区域(3a)；和配置在第一区域(3a)的周围且氧含有量比第一区域(3a)多的第二区域(3b)，下部电极层(2)和上部电极层(4)与第一区域(3a)的至少一部分以从第一区域(3a)的厚度方向看重叠的方式配置。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 元件 装置 以及 它们 制造 方法 | ||
【主权项】：
1. 一种非易失性存储元件，其特征在于，包括：下部电极层；在所述下部电极层的上方形成的上部电极层；和在所述下部电极层与所述上部电极层之间形成的金属氧化物薄膜层，所述金属氧化物薄膜层包括：通过在所述下部电极层与所述上部电极层之间施加电脉冲而电阻值增加或减少的第一区域；和配置在所述第一区域的周围并且氧含有量比所述第一区域多的第二区域，所述下部电极层和所述上部电极层与所述第一区域的至少一部分以从所述第一区域的厚度方向看重叠的方式配置。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
