[发明专利]包括p掺杂有机半导体的电子元件有效

专利信息
申请号: 200780007117.0 申请日: 2007-02-28
公开(公告)号: CN101405890A 公开(公告)日: 2009-04-08
发明(设计)人: 穆罕麦德·本卡利法;戴维·沃弗里 申请(专利权)人: 原子能委员会
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波
地址: 法国*** 国省代码: 法国;FR
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摘要: 发明涉及一种电子元件,其包括其中分散着掺杂剂的有机半导体材料层,掺杂剂的输出能量和有机半导体材料的HOMO能级之间的能量差小于0.5eV。掺杂剂是在10-8Torr压强下蒸发温度低于1300℃的原子元素。本发明消除了与常用有机受主掺杂剂有关的任何毒性问题,并特别适用于有机发光二极管。
搜索关键词: 包括 掺杂 有机半导体 电子元件
【主权项】:
1、一种电子元件,包括有机半导体材料层,其中分散了掺杂剂,该掺杂剂具有介于掺杂剂的功函数和小于0.5eV的所述有机半导体材料的HOMO能级之间的能量差,其特征是所述掺杂剂是在10-8Torr压强下蒸发温度小于1300℃的原子元素。
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