[发明专利]栅极具有不同功函数的双栅极半导体器件及其制造方法无效
| 申请号： | 200780005193.8 | 申请日： | 2007-02-02 |
| 公开（公告）号： | CN101385150A | 公开（公告）日： | 2009-03-11 |
| 发明（设计）人： | 马克·范达尔;拉杜·苏尔代亚努 | 申请（专利权）人： | NXP股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 朱进桂 |
| 地址： | 荷兰艾*** | 国省代码： | 荷兰;NL |
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| 摘要： | 本发明提供一种双栅极FinFET及其制造方法。所述FinFET包括鳍状物(20)的相邻各个边的第一和第二栅极(72，74)，至少一部分第一栅极面向由多晶硅形成的鳍状物，并且至少一部分第二栅极面向金属硅化物形成的鳍状物。两个栅极的不同成分提供各个不同的功函数以减小短沟道效应。 | ||
| 搜索关键词： | 栅极 具有 不同 函数 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种半导体器件，所述器件包括：半导体材料的鳍状物(20)，位于绝缘衬底(12)上；第一栅极(72)，通过栅极电介质层(30)与鳍状物的第一边分离，所述第一栅极的至少一部分面向由多晶硅形成的鳍状物；以及第二栅极(74)，通过栅极电介质层(32)从鳍状物的与第一边相对的第二边分离，所述第二栅极的至少一部分面向由金属硅化物形成的鳍状物。
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