[发明专利]场效应晶体管有效
| 申请号： | 200780003782.2 | 申请日： | 2007-01-11 |
| 公开（公告）号： | CN101375405A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 岩崎达哉 | 申请（专利权）人： | 佳能株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/49;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 魏小薇 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种场效应晶体管，设置有基底上形成的栅电极15、源电极13和漏电极14，所述场效应晶体管包括：由氧化物构成的沟道层11，所述氧化物包含In、Zn或Sn作为主要成分；以及栅绝缘层12，设置在沟道层11与栅电极15之间，其中，所述栅绝缘层12由包含Ga作为主要成分的无定形氧化物形成。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，其具有栅电极、源电极和漏电极，所述场效应晶体管包括：沟道层，由氧化物半导体形成，所述氧化物半导体包含从In、Zn和Sn组成的组中选择的至少一种；以及栅绝缘层，布置在沟道层与栅电极之间，其中，栅绝缘层包括无定形氧化物，所述无定形氧化物包含Ga作为主要成分。
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