[发明专利]半导体发光装置有效
| 申请号： | 200780003309.4 | 申请日： | 2007-07-05 |
| 公开（公告）号： | CN101375418A | 公开（公告）日： | 2009-02-25 |
| 发明（设计）人： | 黄燕;邱国安;彭华军;冯剑;禇宏深 | 申请（专利权）人： | 香港应用科技研究院有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳创友专利商标代理有限公司 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国香港新界沙田香港科*** | 国省代码： | 中国香港;81 |
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| 摘要： | 一种半导体发光装置(100，300，400，500，600)，在主发光方向上发出具有一个预定带宽的光，包括一个光产生区(109，405，607)，用来产生光；以及一个1维光学晶体结构(113，417，615)，其有一个光学带隙覆盖至少一段所述带宽。1维光学晶体结构(113，417，615)被放置成，使得一旦有从光产生区(109，405，607)产生的光入射，就被反射朝向主发光方向(111，411，609)，所述光的波长在1维光学晶体结构(113，417，615)的带隙范围内。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体发光装置，用来在主发光方向上发出具有一个预定波长的光，装置包括：一个光产生区，用来产生光；和一个1维光学晶体结构，其具有一个光学带隙覆盖至少一段所述带宽，其中1维光学晶体结构被放置成，使得一旦有从光产生区发出的光入射，所述光的波长在1维光学晶体结构的带隙范围内，所述光被反射向主发光方向。
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