[发明专利]制造几何多晶铸硅的方法和装置及用于光电池的几何多晶铸硅实体无效
| 申请号： | 200780002753.4 | 申请日： | 2007-01-18 |
| 公开（公告）号： | CN101370969A | 公开（公告）日： | 2009-02-18 |
| 发明（设计）人： | 内森·G·斯托达德 | 申请（专利权）人： | BP北美公司 |
| 主分类号： | C30B11/14 | 分类号： | C30B11/14;H01L31/18 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 王海川;樊卫民 |
| 地址： | 美国伊*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供了用于光电池及其它应用中的铸硅的方法及装置。采用这种方法及装置，可以形成几何规则多晶硅的铸造实体，其不含或基本上不含径向分布的杂质和缺陷，并且具有各自为至少约10cm的至少两个尺寸。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 几何 多晶 方法 装置 用于 光电池 实体 | ||
【主权项】：
1.铸硅制造方法，包括：在坩埚的至少一个表面上放置几何排列的许多硅籽晶，所述坩锅具有一个或多个被加热到至少硅的熔融温度的侧壁和至少一个冷却壁；放置与几何排列的单晶硅籽晶接触的熔融硅；以及通过冷却熔融硅以控制结晶，形成包含几何规则多晶硅的固体实体，其任选具有各自为至少约10cm的至少两个尺寸，其中该形成包括在冷却期间控制熔融硅边缘处的固-液界面，以便在增大熔融硅与所述至少一个冷却壁之间距离的方向上移动。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于BP北美公司，未经BP北美公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780002753.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：丁草胺极化荧光免疫检测方法
- 下一篇：电子装置封装体、模块以及电子装置
