[发明专利]半导体激光元件及其制造方法无效
| 申请号： | 200780001734.X | 申请日： | 2007-07-31 |
| 公开（公告）号： | CN101361238A | 公开（公告）日： | 2009-02-04 |
| 发明（设计）人： | 井上大二朗;别所靖之;畑雅幸;野村康彦;德永诚一 | 申请（专利权）人： | 三洋电机株式会社 |
| 主分类号： | H01S5/02 | 分类号： | H01S5/02 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 刘春成 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种半导体激光元件及其制造方法，能够得到能够抑制光波导的损伤的半导体激光元件。该GaN类半导体激光芯片(半导体激光元件)包括：由氮化物类半导体构成的n型GaN基板；和形成在n型GaN基板上，由形成有构成在F方向延伸的光波导的脊部的氮化物类半导体构成的半导体层。此外，脊部(光波导)形成在从半导体层的中央部向一侧偏移的区域中。此外，在与脊部(光波导)的一侧相反的一侧的区域中，以在与脊部(光波导)延伸的F方向交叉的方向延伸的方式，从半导体层侧形成有解理导入用台阶。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 激光 元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体激光元件，其特征在于，包括：由氮化物类半导体构成的基板；和形成在所述基板上，由形成有在规定的方向延伸的光波导的氮化物类半导体构成的半导体层，所述光波导形成在从所述半导体层的中央部向一侧偏移的区域，在与所述光波导的所述一侧相反的一侧的区域中，从所述光波导隔开规定的距离，在所述光波导的端面的延长线上，以在与所述光波导延伸的所述规定的方向交叉的方向延伸的方式，从所述半导体层侧形成有第一台阶。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三洋电机株式会社，未经三洋电机株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200780001734.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：用于无线通信的准线性干扰消除
- 下一篇：连接器
