[发明专利]处理装置无效
| 申请号： | 200780000456.6 | 申请日： | 2007-03-05 |
| 公开（公告）号： | CN101322224A | 公开（公告）日： | 2008-12-10 |
| 发明（设计）人： | 野泽俊久;汤浅珠树 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3065 | 分类号： | H01L21/3065;H01L21/205 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本国*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种处理装置，该处理装置在实用区域内使用阀开度时，能够使处理空间的气氛气体均等地分散在载置台的周围而进行排气。该处理装置是对被处理体在规定的处理压力下实施规定的处理的单片式处理装置，包括：在底部具有排气口(50)的能够抽真空的处理容器(42)；用于载置被处理体W而设置在处理容器内的载置台(44)；与排气口连接，并且能够通过滑动式的阀体(94)改变阀口(98)的开口区域面积的压力控制阀(88)；和与压力控制阀连接的排气系统(90)，偏心设置压力控制阀，使得载置台的中心轴位于由压力控制阀的阀开度的实用区域形成的开口区域内。 | ||
| 搜索关键词： | 处理 装置 | ||
【主权项】：
1.一种处理装置，是对被处理体在规定的处理压力下实施规定的处理的单片式处理装置，其特征在于，包括：在底部具有排气口的能够抽真空的处理容器；用于载置所述被处理体而设置在所述处理容器内的载置台；连接所述排气口，并且能够通过滑动式的阀体改变阀口的开口区域面积的压力控制阀；和与所述压力控制阀连接的排气系统，偏心设置所述压力控制阀，使得所述载置台的中心轴位于由所述压力控制阀的阀开度的实用区域形成的所述开口区域内。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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