[实用新型]湿法浸入式设备的药液处理槽无效
申请号: | 200720144271.X | 申请日: | 2007-10-26 |
公开(公告)号: | CN201117639Y | 公开(公告)日: | 2008-09-17 |
发明(设计)人: | 张弢;邹建祥 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/306;C23F1/08;B08B3/08 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 蔡光亮 |
地址: | 201206上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种湿法浸入式设备的药液处理槽,包括处理槽、聚氯乙烯外槽和循环外槽,处理槽通过支架支撑于聚氯乙烯外槽内,处理槽与聚氯乙烯外槽之间设置有循环外槽,处理槽内的底部设置有硅片支架,其中处理槽盛装有药液,聚氯乙烯外槽内盛有纯水,循环外槽内盛有药液;其中:所述处理槽的沿硅片排列方向的截面的底面形状为圆弧形。本实用新型将原有的矩形处理槽改进为底面为圆弧形的处理槽,能够在不影响硅片处理的情况下,最大限度地减小处理槽内药液的体积,从而节省药液的用量,降低生产成本;同时去除了容易产生结晶物的死角,从而避免在处理槽底部角落内产生结晶物,使结晶物不容易生成,改善工艺品质。 | ||
搜索关键词: | 湿法 浸入 设备 药液 处理 | ||
【主权项】:
1、一种湿法浸入式设备的药液处理槽,包括处理槽、聚氯乙烯外槽和循环外槽,处理槽通过支架支撑于聚氯乙烯外槽内,处理槽与聚氯乙烯外槽之间设置有循环外槽,处理槽内的底部设置有硅片支架;其特征在于:所述处理槽的沿硅片排列方向的截面的底面形状为圆弧形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造