[实用新型]单/多晶硅薄膜及其组件的制备装置有效
| 申请号： | 200720126102.3 | 申请日： | 2007-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN201128779Y | 公开（公告）日： | 2008-10-08 |
| 发明（设计）人： | 范多旺;范多进;令晓明;姚小明;孔令刚;王成龙 | 申请（专利权）人： | 兰州大成自动化工程有限公司;兰州交通大学 |
| 主分类号： | C30B35/00 | 分类号： | C30B35/00;C30B23/00;C30B25/00;C30B29/06 |
| 代理公司： | 兰州振华专利代理有限责任公司 | 代理人： | 张真 |
| 地址： | 730070*** | 国省代码： | 甘肃;62 |
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| 摘要： | 本实用新型主要涉及薄膜的制备设备。一种单/多晶硅薄膜制备装置，包括有真空镀膜机，其主要特点是还包括有在真空罐(3)内设有的工件车(2)的内侧固连有磁控溅射机构(6)，包括有靶盘(61)，磁控器(62)；在真空罐(3)上设有氩气入口(9)。本实用新型的有益效果是，由于组件中各膜层沉积都是在同一真空室体中进行，在保证光电转换效率的同时可以节省大量的时间，且根据不同工艺，利用该实用新型可以在计算机控制下连续完成光电转换组件的生产，因此便于工业化自动化硅膜及组件生产。 | ||
| 搜索关键词： | 多晶 薄膜 及其 组件 制备 装置 | ||
【主权项】：
1.一种单/多晶硅薄膜及其组件的制备装置，包括有真空镀膜机，其特征是还包括有在真空罐(3)内设有的工件车(2)的内侧固连有磁控溅射机构(6)，磁控溅射机构(6)包括有靶盘(61)，磁控器(62)；在真空罐(3)上设有氩气入口(9)。
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