[实用新型]带平面螺旋电感的CMOS硅光电探测器无效
| 申请号： | 200720098995.5 | 申请日： | 2007-12-18 |
| 公开（公告）号： | CN201188423Y | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 毛陆虹;肖新东;余长亮 | 申请（专利权）人： | 天津大学 |
| 主分类号： | H01L27/144 | 分类号： | H01L27/144 |
| 代理公司： | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 | 代理人： | 江镇华 |
| 地址： | 300384天津*** | 国省代码： | 天津;12 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种带平面螺旋电感的CMOS硅光电探测器包括一个P型衬底；一个制作在P型衬底上的N阱以及N阱接触区；一个制作在N阱周围的p+保护环；一个制作在N阱上的引出电极，为CMOS硅光电探测器的负极；一个制作在N阱中的螺旋状p+注入区以及制作在螺旋状p+注入区中的接触区；一个制作在螺旋状p+注入区上并成为平面螺旋电感的螺旋状金属引出电极，为CMOS硅光电探测器的正极。本实用新型能够大大提高光接收机的带宽，进而可实现高速、高灵敏度的CMOS光电集成接收机。 | ||
| 搜索关键词： | 平面 螺旋 电感 cmos 光电 探测器 | ||
【主权项】：
1.一种带平面螺旋电感的CMOS硅光电探测器，包括：一个P型衬底；一个制作在P型衬底上的N阱以及N阱接触区；一个制作在N阱周围的p+保护环；一个制作在N阱上的引出电极，为CMOS硅光电探测器的负极；其特征在于，还包括：一个制作在N阱中的螺旋状p+注入区以及制作在螺旋状p+注入区中的接触区；一个制作在螺旋状p+注入区上并成为平面螺旋电感的螺旋状金属引出电极，为CMOS硅光电探测器的正极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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