[实用新型]真空蒸发物理气相沉积薄膜生长装置

摘要

本实用新型涉及一种真空蒸发气相沉积薄膜生长装置，属物理气相沉积技术领域。本实用新型的装置主要包括有一种罩形玻璃容器(9)，其上部为烧有钨丝的玻璃顶盖(11)，两者结合处设置有密封圈凹槽(10)；容器(9)底部有一盛放源料物质(1)的蒸发管(2)与之连接；在肩部形成的腔体平台(3)上放置有隔热板(4)，并在其上放有玻璃基片(5)，基片(5)上面设有贴紧的基片加热板(6)；容器(9)中部设有真空抽气口(8)；容器外壁周围设有循环冷却水管(7)。该装置的操作温度要求源料物质的温度要求范围为50～120℃，加热板的温度要求范围为室温～100℃。真空度要求为10^－3～10^－4Pa(帕)。本实用新型的装置结构简单，易于操作，可重复使用；特别适合于制备较大面积的探测器级碘化汞薄膜。

主权项

1.一种真空蒸发物理气相沉积薄膜生长装置，主要包括有具有沉积腔体的玻璃容器、薄膜沉积玻璃基片、基片加热系统、真空抽气系统、循环冷却水系统、温度控制系统、源料蒸发管及其加热设施；其特征在于：具有沉积腔体的玻璃容器(9)呈钟罩形，其上部设有顶盖(11)，下部连接有盛放源料物质(1)的蒸发管(2)，在钟罩形玻璃容器(9)的底部与蒸发管(2)连接处的肩部形成—腔体平台(3)，在该腔体平台(3)上面放有—中间开有圆孔的隔热板(4)，隔热板(4)上面设置有—沉积薄膜的玻璃基片(5)；源料物质(1)蒸发后即沉积于该玻璃基片(5)的下表面上；接有热电偶和加热引线的加热板(6)紧贴于玻璃基片(5)的上表面，实现平面接触以对玻璃基片(5)加热；加热板(6)上的热电偶和加热引线通过钨丝(12)引出，与精密程序温度控制仪连接，通过对程序的设定，可以实现温度的自动控制；在玻璃容器(9)的上部与顶盖(11)的接合处设置有安放橡胶密封圈的凹槽(10)，以防止漏气，保持容器真空状态；在玻璃容器(9)中部设有真空抽气口(8)，该抽气口与真空抽气系统相连接；在靠近加热板(6)的上方的玻璃容器(9)的外壁周围安装有循环冷却水管(7)，以冷却器壁；冷却水管(7)与外设的循环冷却水系统相连接；盛放源料物质(1)的蒸发管(2)放置于油浴中进行加热，采用油浴方式；或者采用辐射加热方式。