[发明专利]用掺杂低温燃烧合成法制备的Gd211相提高GdBaCuO高温超导体性能的方法有效
| 申请号: | 200710304556.X | 申请日: | 2007-12-28 |
| 公开(公告)号: | CN101471162A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
| 发明(设计)人: | 焦玉磊;肖玲;郑明辉;马小海;宿新泰;燕青芝;葛昌纯 | 申请(专利权)人: | 北京有色金属研究总院 |
| 主分类号: | H01B13/00 | 分类号: | H01B13/00;H01B12/00;C04B35/622;H01L39/24 |
| 代理公司: | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 | 代理人: | 程凤儒 |
| 地址: | 10008*** | 国省代码: | 北京;11 |
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| 摘要: | 用掺杂低温燃烧合成法制备的Gd211相提高GdBaCuO高温超导体性能的方法,包括:第一步,把Gd2O3与CuO分别用浓硝酸溶解,Ba(NO3)2用去离子水溶解,溶解完毕后将三种溶液混合;第二步,选用柠檬酸(CA)作为主络合剂,乙二胺四乙酸(EDTA)作为辅助络合剂,得到混合溶液,并向混合溶液中加入NH4NO3;第三步,调节混合溶液的pH=8.0-8.1,恒温蒸发至胶状,然后在90℃-120℃脱水得到干凝胶;第四步,将干凝胶置于马弗炉中在600-920℃焙烧2小时,得到Gd211粉体;第五步,将Gd211粉体加入到固相法合成的Gd123粉体中,再掺入相对于Gd123与Gd211混合粉体的0.2wt%-0.5wt%的Pt,然后经球磨混合均匀后,用单轴模压成型,再采用顶部籽晶结合熔融织构生长工艺制备单畴GdBaCuO超导块。本发明的方法制备高性能的GdBaCuO高温超导体,其磁悬浮力和临界电流密度均能得到提高,临界电流密度的提高幅度更大。 | ||
| 搜索关键词: | 掺杂 低温 燃烧 成法 制备 gd211 提高 gdbacuo 高温 超导体 性能 方法 | ||
【主权项】:
1、一种用掺杂Gd211相提高GdBaCuO高温超导体性能的方法,其特征在于,该方法包括以下步骤:第一步,把Gd2O3,Ba(NO3)2与CuO以Gd:Ba:Cu=2:1:1的摩尔比称量,Gd2O3与CuO分别用浓硝酸溶解,Ba(NO3)2用去离子水溶解,溶解完毕后将三种溶液混合;第二步,选用柠檬酸(CA)作为主络合剂,乙二胺四乙酸(EDTA)作为辅助络合剂,取上述混合溶液中的金属离子总摩尔数与柠檬酸和EDTA的摩尔比为1:1:0.5,得到混合溶液,并向混合溶液中加入NH4NO3,使硝酸根与CA和EDTA的摩尔比为6:2:1,接着搅拌;第三步,用浓氨水调节混合溶液的pH=8.0-8.1,再用水浴加热至60℃-90℃,恒温蒸发至胶状,然后在90℃-120℃脱水得到干凝胶;第四步,将干凝胶研磨后置于马弗炉中在600-920℃焙烧2小时,得到Gd211粉体;第五步,将Gd211粉体以相对于Gd123粉体的30mol%~50mol%的摩尔比加入到固相法合成的Gd123粉体中,再掺入相对于Gd123与Gd211混合粉体的0.2wt%-0.5wt%的Pt,然后经高速振摆球磨混合均匀后,用单轴模压成型,再采用顶部籽晶结合熔融织构生长工艺制备单畴GdBaCuO超导块。
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