[发明专利]镁掺杂氮化镓基材料和发光二极管P型氮化镓的激活方法无效
| 申请号： | 200710304457.1 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101471408A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 陈志忠;齐胜利;于彤军;秦志新;张国义 | 申请（专利权）人： | 北京大学 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/30;H01L21/324 |
| 代理公司： | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙） | 代理人： | 贾晓玲 |
| 地址： | 100871*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种镁掺杂氮化镓基材料和发光二极管P型氮化镓的激活方法，该方法用ICP等离子体处理镁掺杂的氮化镓基材料或发光二极管P型氮化镓材料，其中，反应气氛为含氧元素的气体及含氧元素气体的混合气体，或上述气体与氮气、氦气或氩气的混合气体，等离子体的密度在1011cm-3-1012cm-3之间，然后，去除上述反应生成的氧化物，并对所述材料进行400-600℃高温退火。本发明得到了Mg掺杂GaN材料的高空穴浓度，提高了掺Mg的p-GaN的激活效率。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 氮化 基材 发光二极管 激活 方法 | ||
【主权项】：
1、一种镁掺杂氮化镓基材料的激活方法，其步骤包括：1)ICP等离子体处理镁掺杂的氮化镓基材料，其中，反应气氛为含氧元素的气体及含氧元素气体的混合气体，或上述气体与氮气、氦气或氩气的混合气体，等离子体的密度在1011cm-3—1012cm-3之间；2)去除上述处理生成的氧化物；3)对镁掺杂的氮化镓基材料进行400-600℃高温退火。
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