[发明专利]平板式等离子体增强化学汽相淀积设备的反应室结构有效
申请号: | 200710303894.1 | 申请日: | 2007-12-26 |
公开(公告)号: | CN101469414A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 刘训春;周宗义;李兵;张育胜;王佳;张永利 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | C23C16/505 | 分类号: | C23C16/505 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人: | 周国城 |
地址: | 100029*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明一种平板式等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)设备的反应室结构,涉及微电子技术,是由内真空室与外腔室嵌套组成;内真空室上段的顶壁由具有伸缩功能的波纹管与外腔室连接;内真空室上段的顶壁外侧通过螺杆与外腔室顶面的堵转电机连接,以堵转电机控制内真空室上段的升降;内真空室的工作压强高于外腔室。反应室内真空室中的载片盘与内真空室下段的侧壁不接触,避免载片台上的热量向外壁传导,以便载片台可以很快加热到很高的温度。本发明的反应室结构可以避免系统漏气的影响,明显地改善淀积薄膜的质量,降低粉尘;有利于提高衬底温度和新材料的生长。 | ||
搜索关键词: | 平板 等离子体 增强 化学 汽相淀积 设备 反应 结构 | ||
【主权项】:
1、一种平板式等离子体增强化学汽相淀积设备的反应室结构,包括外腔室、进气管,射频电极,载片盘,下加热器,真空阀,机械泵,下加热器电源接口;其特征在于,还设有内真空室,内真空室位于外腔室内,两者嵌套组装;内真空室包括内真空室上、下段两部分,上段的顶壁由具有伸缩功能的波纹管与外腔室内壁固连,且上段的顶壁外侧通过螺杆与外腔室外顶面的堵转电机连接,以堵转电机控制内真空室上段的升降;内真空室的工作压强高于外腔室;内真空室中的载片盘与内真空室下段的侧壁不接触,避免载片台上的热量向外壁传导,以便载片台可以很快加热到很高的温度。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
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