[发明专利]偏压发生器及产生用于半导体存储器件的偏压的方法有效
| 申请号： | 200710303563.8 | 申请日： | 2007-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101246734A | 公开（公告）日： | 2008-08-20 |
| 发明（设计）人： | 金惠珍;李光振;赵佑荣;朴茂熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C5/14 | 分类号： | G11C5/14;G11C11/56;G05F1/10 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供偏压发生器、具有该偏压发生器的半导体存储器件以及产生偏压的方法。该偏压发生器产生偏压以控制用于读出数据的、提供给存储单元的读出电流，其特征在于响应于正在被施加的输入电压输出偏压，以便该偏压相对于该输入电压的斜率在对应于该输入电压的电平而划分开的至少两个部分中是不同的。 | ||
| 搜索关键词： | 偏压 发生器 产生 用于 半导体 存储 器件 方法 | ||
【主权项】：
1、一种偏压发生器，该偏压发生器产生偏压以控制提供给存储单元的读出电流，包含：电路，该电路响应于所施加的输入电压提供偏压，以便该偏压相对于该输入电压的斜率对于区别不同的电压电平的输入电压的至少两个部分是不同的。
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