[发明专利]半导体材料制作装置无效

专利信息
申请号: 200710201561.8 申请日: 2007-08-31
公开(公告)号: CN101377009A 公开(公告)日: 2009-03-04
发明(设计)人: 赖志铭 申请(专利权)人: 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司;沛鑫半导体工业股份有限公司
主分类号: C30B25/02 分类号: C30B25/02;C30B35/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 201600上海市松江区松*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明提供一种半导体材料制作装置,其用于在一基底上外延生长半导体材料,该半导体材料制作装置包括一反应腔,一第一进料管以及一第二进料管,所述反应腔用于容纳所述基底,所述第一进料管以及第二进料管与反应腔相连通并分别用于向反应腔提供第一原料气体以及第二原料气体,所述第一进料管包括第一管体部及第二管体部,该第一管体部与第二管体部可拆卸地连接在一起。该半导体材料制作装置可在高产品品质的前提下,提升半导体材料生产效率。
搜索关键词: 半导体材料 制作 装置
【主权项】:
【权利要求1】一种半导体材料制作装置,其用于在一基底上外延生长半导体材料,该半导体材料制作装置包括一反应腔,一第一进料管以及一第二进料管,所述反应腔用于容纳所述基底,所述第一进料管以及第二进料管与反应腔相连通并分别用于向所述反应腔提供第一原料气体以及第二原料气体,其特征在于:所述第一进料管包括第一管体部及第二管体部,该第一管体部与第二管体部可拆卸地连接在一起。
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