[发明专利]氮化物半导体元件有效
| 申请号： | 200710199811.9 | 申请日： | 1999-03-10 |
| 公开（公告）号： | CN101188266A | 公开（公告）日： | 2008-05-28 |
| 发明（设计）人： | 谷沢公二;三谷友次;中河羲典;高木宏典;丸居宏充;福田芳克;池上武止 | 申请（专利权）人： | 日亚化学工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L31/0248;H01L29/02;H01S5/00;H01S5/343;H01S5/323 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 段承恩;田欣 |
| 地址： | 日本德岛*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种氮化物半导体元件，它是在具有多层氮化物半导体层的n侧区域和具有多层氮化物半导体层的p侧区域之间具有有源层的氮化物半导体元件，其特征在于：上述n侧区域的至少一层氮化物半导体层具有将含In的第一氮化物半导体膜和具有与该第一氮化物半导体膜不同组成的第二氮化物半导体膜层叠而成的n侧多层膜层，并且，上述第一氮化物半导体膜或上述第二氮化物半导体膜中的至少一方的膜厚为100或以下。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化物 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物半导体元件，它是在具有多层氮化物半导体层的n侧区域和具有多层氮化物半导体层的p侧区域之间具有有源层的氮化物半导体元件，其特征在于：上述n侧区域的至少一层氮化物半导体层具有将含In的第一氮化物半导体膜和具有与该第一氮化物半导体膜不同组成的第二氮化物半导体膜层叠而成的n侧多层膜层，并且，上述第一氮化物半导体膜或上述第二氮化物半导体膜中的至少一方的膜厚为100或以下。
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