[发明专利]互补金属氧化物半导体图像传感器像素电路及结构和操作无效
| 申请号： | 200710199785.X | 申请日： | 2007-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN101237531A | 公开（公告）日： | 2008-08-06 |
| 发明（设计）人： | 金东秀;韩囝熙;咸锡宪 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H04N5/335 | 分类号： | H04N5/335;H04N3/15;H01L27/146;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了互补金属氧化物半导体图像传感器的像素电路及其结构和操作方法。该像素包括：光电二极管；浮置扩散结点，其通过第一开关连接到该光电二极管；源极跟随器，其响应于该浮置扩散结点的电压。通过电容耦合将该浮置扩散结点的电压施加到该源极跟随器。 | ||
| 搜索关键词： | 互补 金属 氧化物 半导体 图像传感器 像素 电路 结构 操作 | ||
【主权项】：
1、一种CMOS图像传感器的像素，该像素包括：光电二极管；浮置扩散结点，通过第一开关连接到该光电二极管；及源极跟随器，响应于该浮置扩散结点的电压，其中该浮置扩散结点的电压通过电容耦合施加到该源极跟随器。
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