[发明专利]用于形成微透镜的图案掩模、图像传感器及其制造方法无效
| 申请号： | 200710198995.7 | 申请日： | 2007-12-11 |
| 公开（公告）号： | CN101201539A | 公开（公告）日： | 2008-06-18 |
| 发明（设计）人： | 全承镐 | 申请（专利权）人： | 东部高科股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/14 | 分类号： | G03F1/14;G03F1/00;H01L27/146;H01L21/822 |
| 代理公司： | 隆天国际知识产权代理有限公司 | 代理人： | 郑小军 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供一种用于形成微透镜的图案掩模、图像传感器及其制造方法。其中用于形成微透镜的图案掩模包括掩模图案部，其对应于矩阵形式的像素区域交错排列，其中所述掩模图案部的相邻角相互重叠。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 形成 透镜 图案 图像传感器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种用于形成微透镜的图案掩模，包括：掩模图案部，其对应于矩阵形式的像素区域交错排列，其中，所述掩模图案部的相邻角相互重叠。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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