[发明专利]多电平可变电阻存储装置及其驱动方法无效
| 申请号： | 200710196653.1 | 申请日： | 2007-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN101192446A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 赵佑荣;金杜应;金起圣 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C7/20 | 分类号： | G11C7/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 邵亚丽 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 公开了一种驱动多电平可变电阻存储装置的方法。驱动多电平可变电阻存储装置的方法包括：提供写电流给可变电阻存储器，以便改变可变电阻存储单元的电阻；验证改变的电阻是否进入预定的电阻窗；以及提供具有从基于验证结果最近提供的写电流增加或减小的量的写电流，以便改变可变电阻存储单元的电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 电平 可变 电阻 存储 装置 及其 驱动 方法 | ||
【主权项】：
1.一种驱动写数据值到多电平可变电阻存储装置的方法，该方法包括：将写电流施加到可变电阻存储单元，以改变可变电阻存储单元的实际电阻；验证实际电阻是否驻留在与写数据值相关联的预期的电阻窗中并产生验证结果；以及根据验证结果改变写电流量，并再次施加写电流到可变电阻存储单元。
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