[发明专利]制造存储单元的自对准空洞及底电极的方法

摘要

本发明公开一种用以在制造存储单元时在电介质材料中生成自对准空洞的方法。先形成基底层，其包括导电元件。接着在所述基底层上再形成上层，所述上层形成步骤包括在所述基底层上形成第三、平坦化停止层、在所述第三层上形成第二层以及在所述第二层上形成第一层。然后形成微孔开口穿透所述上层以暴露所述导电元件的表面。此第一层具有凸悬部分延伸进入所述开口，使得所述第一宽度小于所述第二宽度。最后沉积所述电介质材料在所述开口部分，以在所述微孔开口中生成自对准的空洞。在某些实施例中，此微孔形成步骤包含增加所述第一层的体积，而在其他的实施例中，此微孔形成步骤包含将所述第二层回蚀刻。

主权项

1.一种在制造存储单元时在电介质材料中生成自对准空洞的方法，包括：形成基底层，其包括导电元件；在所述基底层上形成上层，所述上层形成步骤包括在所述基底层上形成第三、平坦化停止层、在所述第三层上形成第二层以及在所述第二层上形成第一层；形成微孔开口穿透所述上层以暴露所述导电元件的表面、并生成第一存储单元子组件，所述微孔开口包括形成在所述第一层中的第一上开口部分、形成在所述第二层中的第二开口部分以及形成在所述第三层中的第三开口部分，所述第一与第二开口部分分别具有第一与第二宽度，所述第一层具有凸悬部分延伸进入所述开口，使得所述第一宽度小于所述第二宽度；以及在所述微孔开口部分沉积电介质材料，以生成第二存储单元子组件，其在所述沉积的电介质材料中包含空洞，所述空洞为所述微孔开口中的自对准的空洞。