[发明专利]全耗尽Air_AlN_SOI MOSFETs器件结构及其制备方法无效
| 申请号： | 200710188439.1 | 申请日： | 2007-11-30 |
| 公开（公告）号： | CN101170134A | 公开（公告）日： | 2008-04-30 |
| 发明（设计）人： | 杨媛;高勇;巩鹏亮 | 申请（专利权）人： | 西安理工大学 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 西安弘理专利事务所 | 代理人： | 罗笛 |
| 地址： | 710048*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明公开的一种全耗尽Air_AlN_SOI MOSFETs器件结构，包括栅极、Si3N4侧墙，栅极和Si3N4侧墙下面设置的栅氧化层，栅氧化层的正下方设置有沟道区，沟道区的两边分别设置有源区和漏区，源区、漏区与沟道区接触的内侧设置有扩展区，沟道区、源区和漏区的下方依次为绝缘层和硅衬底，其特点是绝缘层由Air和Air两侧设置的AlN绝缘层组成，Air设置于沟道区的正下方。通过先制备得到硅衬底，在用掩膜对硅片上的硅区进行各向异性，形成中间空余的结构，在使用现有方法实现上部分的结构。该器件结构能同时解决SOI器件中的自加热效应和SOAN器件中的泄漏电流增大和阈值电压漂移问题。 | ||
| 搜索关键词： | 耗尽 air_aln_soi mosfets 器件 结构 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种全耗尽Air_AlN_SOI MOSFETs器件结构，包括栅极(1)、栅极(1)两边设置的Si3N4侧墙(2)，栅极(1)和Si3N4侧墙(2)的下面设置有栅氧化层(3)，栅氧化层(3)的正下方设置有沟道区(7)，沟道区(7)的两边分别设置有源区(4)和漏区(5)，源区(4)、漏区(5)与沟道区(7)接触的内侧设置有扩展区(6)，沟道区(7)、源区(4)和漏区(5)的下方依次为绝缘层和硅衬底(10)，其特征在于，所述的绝缘层由空洞层(8)和空洞层(8)两侧设置的AlN绝缘层(9)组成，所述的空洞层(8)设置于沟道区(7)的正下方。
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