[发明专利]发光二极管及其制造方法、集成发光二极管、以及显示器无效
| 申请号： | 200710186807.9 | 申请日： | 2006-05-16 |
| 公开（公告）号： | CN101232067A | 公开（公告）日： | 2008-07-30 |
| 发明（设计）人： | 大前晓;冨谷茂隆;前田勇树;盐见治典;网隆明;宫嶋孝夫;簗嶋克典;丹下贵志;安田淳 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/82;H01L21/20;H01L27/15;F21S4/00;F21V23/00;G02F1/13357 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 马高平 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种制造发光二极管的方法，其包括步骤：提供一衬底，该衬底在其一个主表面上具有至少一个凹口部分，并且通过在截面上形成将凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III－V族化合物半导体层，从而掩埋凹口部分；在衬底上从第一氮化物基III－V族化合物半导体层，横向生长第二氮化物基III－V族化合物半导体层；在第二氮化物基III－V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III－V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III－V族化合物半导体层。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 及其 制造 方法 集成 以及 显示器 | ||
【主权项】：
1.一种制造发光二极管的方法，包括如下步骤：提供在一个主表面上具有至少一个凹口部分的衬底，通过在截面上形成将所述凹口部分的底面作为底边的三角形的状态，生长第一氮化物基III-V族化合物半导体层，由此掩埋所述凹口部分；在所述衬底上从所述第一氮化物基III-V族化合物半导体层横向生长第二氮化物基III-V族化合物半导体层；以及在所述第二氮化物基III-V族化合物半导体层上依次生长具有第一导电类型的第三氮化物基III-V族化合物半导体层、有源层和具有第二导电类型的第四氮化物基III-V族化合物半导体层。
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