[发明专利]高表面质量的GaN晶片及其生产方法有效
| 申请号： | 200710186509.X | 申请日： | 2002-06-04 |
| 公开（公告）号： | CN101220244A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 徐学平;罗伯特·P·沃多 | 申请（专利权）人： | 克利公司 |
| 主分类号： | C09G1/02 | 分类号： | C09G1/02;C09G1/18;B24B29/00;H01L21/304 |
| 代理公司： | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 郭国清;樊卫民 |
| 地址： | 美国北卡*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明公开了一种含有AlxGayInzN的高质量晶片，其中0＜y≤1和x+y+z＝1，其特征在于均方根表面粗糙度在晶片的Ga－侧为在10×10μm2面积上小于1nm。该晶片在所述晶片的Ga－侧用CMP浆料进行化学机械抛光(CMP)，所述的浆料含有研磨颗粒，如二氧化硅或氧化铝，以及酸或碱。制造高质量的AlxGayInzN晶片的方法包括如下步骤：研磨、机械抛光和通过热退火或化学蚀刻减少所述晶片的内应力，以进一步提高其表面质量。所述的CMP工艺在提高AlxGayInzN晶片Ga－侧结晶缺陷的亮度方面非常有用。 | ||
| 搜索关键词： | 表面 质量 gan 晶片 及其 生产 方法 | ||
【主权项】：
1.用CMP浆料化学机械抛光(CMP)AlxGayInzN晶片Ga-侧的方法，其中0＜y≤1和x+y+z＝1，所述CMP浆料含有：研磨用无定形二氧化硅颗粒，其颗粒大小小于200nm；至少一种酸；和选择地含有至少一种氧化剂；其中CMP浆料的pH值在大约0.5-大约4的范围内。
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