[发明专利]Si衬底上横向外延生长氮化镓的方法无效
| 申请号： | 200710186133.2 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101471245A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 王质武 | 申请（专利权）人： | 深圳市方大国科光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/20 | 分类号： | H01L21/20;H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭伟刚;张秋红 |
| 地址： | 518055广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开一种Si衬底上横向外延生长氮化镓的方法，包括在硅衬底表面外延生长一层AlN种子层、在AlN种子层上再外延生长一层GaN步骤，还包括以下步骤：(1)、外延生长GaN层后，将温度从900～1200℃在200～400sec内快速降温至500～800℃，导致GaN层与AlN种子层龟裂形成裂纹，在裂纹处由于NH3的存在会生成SiN；(2)、原位生长SiN，在裂缝处SiN进一步长厚，并在GaN层上生长零星分布的SiN掩膜层；(3)在具有SiN掩膜的GaN层上同质横向外延生长GaN，直至该GaN层完全生长合并在一起。 | ||
| 搜索关键词： | si 衬底 横向 外延 生长 氮化 方法 | ||
【主权项】：
1、一种Si衬底上横向外延生长氮化镓的方法，包括在硅衬底表面外延生长一层AlN种子层、在AlN种子层上再外延生长一层GaN步骤，其特征在于，还包括以下步骤：(1)、外延生长GaN层后，将温度从900～1200℃在200～400sec内快速降温至500～800℃，导致GaN层与AlN种子层龟裂形成裂纹，在裂纹处由于NH3的存在会生成SiN；(2)、原位生长SiN，在裂缝处SiN进一步长厚，并在GaN层上生长零星分布的SiN掩膜层；(3)、在具有SiN掩膜的GaN层上同质横向外延生长GaN，直至该GaN层完全生长合并在一起。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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