[发明专利]利用硅001晶面制备GaN基LED的图形衬底的方法无效
| 申请号： | 200710186126.2 | 申请日： | 2007-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN101471402A | 公开（公告）日： | 2009-07-01 |
| 发明（设计）人： | 谢建春 | 申请（专利权）人： | 深圳市方大国科光电技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/308 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人： | 郭伟刚;林俭良 |
| 地址： | 518055广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种利用硅(001)制备GaN基LED的图形衬底的方法，包括以下步骤：A1：在硅(001)上制备具有图形开孔的掩膜；A2：将步骤A1得到的硅(001)放入到具有各向异性蚀刻特性的腐蚀溶液中，制备出具有图形的硅片，该硅片具有硅(111)晶面；A3：剥离步骤A2得到的硅片上的掩膜，得到GaN基LED的图形衬底。在硅(001)衬底上腐蚀出具有一定倾角的Si(111)面，从而可以在Si(111)面外延生长GaN基LED，工艺简单，制备的倒金子塔形衬底能有效释放外延层中的应力，提高外延层结晶品质；具有低缺陷密度、工艺简单、成本低、质量好等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 001 制备 gan led 图形 衬底 方法 | ||
【主权项】：
1、一种利用硅(001)制备GaN基LED的图形衬底的方法，其特征在于，包括以下步骤：A1：在硅(001)上制备具有图形开孔的掩膜；A2：将步骤A1得到的硅(001)放入到具有各向异性蚀刻特性的腐蚀溶液中，制备出具有图形的硅片，该硅片具有硅(111)晶面；A3：剥离步骤A2得到的硅片上的掩膜，得到GaN基LED的图形衬底。
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