[发明专利]蓝宝石衬底同温双缓冲层制备方法

摘要

本发明涉及一种蓝宝石衬底同温双缓冲层制备方法，包括以下步骤：A1：对蓝宝石衬底放入反应腔内进行氢化处理，得到洁净的蓝宝石衬底；A2：往反应腔内输入反应气氛气体，营造反应气氛，并保持反应腔内的温度和压力在设定范围内；A3：在第一时间段内，往反应腔内输入含Ga束源，进行第一层缓冲层的生长；A4：完成第一层缓冲层生长后，旁路含Ga束源，并保持在设定时间段内输入反应气氛气体；A5：保持输入反应气氛气体，并在第二时间段内，再次输入含Ga束源到反应腔内，进行第二层缓冲层的生长。两次成核的生长，在晶核之间产生的间隙有利于释放GaN和Al₂O₃晶格失配产生的应力；有利于GaN三维生长较快向二维生长过渡，形成平整的表面，提高GaN的结晶质量。

主权项

1、一种蓝宝石衬底双缓冲层制备方法，其特征在于，包括以下步骤：A1：对蓝宝石衬底放入反应腔内进行氢化处理，得到洁净的蓝宝石衬底；A2：往所述反应腔内输入反应气氛气体，营造反应气氛，并保持反应腔内的温度和压力在设定范围内；A3：在第一时间段内，往所述反应腔内输入含Ga束源，进行第一层缓冲层的生长；A4：完成第一层缓冲层生长后，旁路所述含Ga束源，并保持在设定时间段内输入反应气氛气体；A5：保持输入反应气氛气体，并在第二时间段内，再次输入含Ga束源到所述反应腔内，进行第二层缓冲层的生长；在上述步骤A2至A4中，所述反应腔内的温度和压力保持在同一范围内；在所述步骤A3和A5中，所述第二时间段长于所述第一时间段。