[发明专利]提高光纤预制件中低包层-纤芯比(D/d)的芯棒的D/d比有效

专利信息
申请号: 200710185118.6 申请日: 2007-10-30
公开(公告)号: CN101302076A 公开(公告)日: 2008-11-12
发明(设计)人: 埃里克·L·巴里什;约瑟夫·P·弗莱彻三世;吴风清 申请(专利权)人: 古河电子北美公司
主分类号: C03B37/012 分类号: C03B37/012
代理公司: 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 代理人: 柴毅敏
地址: 美国*** 国省代码: 美国;US
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摘要: 通过将多个芯体块端对端地插入到玻璃套筒中制造光纤预制件,其中芯体块的包层-纤芯直径比(D/d)在1-4的范围内。套筒和插入其中的芯体块垂直地安装在炉上并被加热,使得套筒拉长,其外径缩小而形成芯棒,从该芯棒可以截取D/d比大于5的芯棒段。灰渣外包层沉积在芯棒段的圆周上,直到沉积灰渣的直径构造成预定的值。芯棒段和沉积灰渣外包层被固结以形成制成的光纤预制件。预制件的D/d比优选地大约为15或更大,光纤可以直接从预制件中拉制。
搜索关键词: 提高 光纤 预制件 包层
【主权项】:
1.一种制造用于光纤预制件的芯棒的方法,其特征在于:选择多个芯体块,其中所述芯体块的包层对纤芯直径比(D/d)在1-4的范围内;将芯体块端对端地插入具有预定的内外径的玻璃套筒中;将玻璃套筒和插入其中的芯体块相对于炉子垂直地安装;在炉子中加热玻璃套筒,从而将套筒和插入其中的芯体块拉长,并将套筒的外径缩小到预定的尺寸以形成D/d比大于5的制成的芯棒。
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