[发明专利]利用SOA四波混频效应产生高频微波的集成光电子器件无效
| 申请号： | 200710179425.3 | 申请日： | 2007-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN101222121A | 公开（公告）日： | 2008-07-16 |
| 发明（设计）人： | 孙长征;黄缙;熊兵;罗毅 | 申请（专利权）人： | 清华大学 |
| 主分类号： | H01S5/50 | 分类号： | H01S5/50;H01S5/34;H01S5/22;H01S5/026;H01S1/02;H01L27/15 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 | 代理人： | 朱琨 |
| 地址： | 100084北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明属于光电子器件技术领域，特别涉及一种利用SOA四波混频效应产生高频微波的集成光电子器件。该集成光电子器件均采用脊波导结构，脊波导两侧用SiO2绝缘层填平，并集成一个分布反馈DFB激光器和一个半导体光放大器SOA。DFB激光器和SOA的顶面和底面上分别制作了一层P型电极和一层N型电极，DFB激光器和SOA相连的地方有一段电隔离段，且该电隔离段处无P型电极和欧姆接触层；DFB激光器的输出光产生的两个一阶调制边带作为SOA四波混频效应的泵浦光，产生两个频率差更大的光，进行拍差。该器件具有集成度高、成本低、成品率高、制作方法简单而又能提高性能的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 利用 soa 混频 效应 产生 高频 微波 集成 光电子 器件 | ||
【主权项】：
1.一种利用SOA四波混频效应产生高频微波的集成光电子器件，该器件在N型衬底上依次生长如下外延层：下包层、下波导层、多量子阱有源层、光栅层、上波导层、上包层、欧姆接触层，在N型衬底和欧姆接触层上分别镀有N型电极和P型电极，其特征在于：所述集成光电子器件均采用脊波导结构，脊波导两侧用SiO2绝缘层填平，并集成一个分布反馈DFB激光器和一个半导体光放大器SOA；DFB激光器和SOA的顶面和底面上分别制作了一层P型电极和一层N型电极，DFB激光器和SOA相连的地方有一段电隔离段，且该电隔离段处无P型电极和欧姆接触层；DFB激光器的输出光产生的两个一阶调制边带作为SOA四波混频效应的泵浦光，产生两个频率差更大的光，进行拍差。
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