[发明专利]一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝制作空气隙结构的方法无效

专利信息
申请号: 200710179381.4 申请日: 2007-12-12
公开(公告)号: CN101456531A 公开(公告)日: 2009-06-17
发明(设计)人: 李文兵;韩勤;秦龙;杨晓红;倪海乔;杜云;朱彬;鞠研玲 申请(专利权)人: 中国科学院半导体研究所
主分类号: B81C1/00 分类号: B81C1/00;G03F7/00
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 周国城
地址: 100083北*** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝牺牲层制作空气隙结构的方法,包括如下步骤:a>用分子束外延技术在(001)砷化镓衬底上生长带有砷化铝牺牲层的结构,砷化铝牺牲层上是由砷化镓和砷化铝镓构成的分布布拉格反射镜;b>在晶片表面光刻出所需图形,在晶片表面非选择性的垂直腐蚀出台面,将砷化铝牺牲层的侧壁暴露出来;c>在恒温水浴缸中用稀盐酸选择腐蚀晶片上的砷化铝牺牲层;d>用特制的聚瓷氟漏勺将选择腐蚀完毕的晶片转移到盛有甲醇或丙酮的烧杯中,清洗晶片;e>将盛有甲醇或丙酮的烧杯静置于恒温环境中,直到甲醇或丙酮完全挥发,取出晶片;f>测量盐稀酸侧蚀砷化铝的深度,估算稀盐酸侧蚀砷化铝的平均速率,得到所需的空气隙结构。
搜索关键词: 一种 利用 盐酸 选择 腐蚀 铝制 空气 结构 方法
【主权项】:
1. 一种利用稀盐酸选择腐蚀砷化铝牺牲层制作空气隙结构的方法,其特征在于,包括如下步骤:1)用分子外延技术或金属化学气相沉积法在晶向为001的砷化镓衬底上生长带有砷化铝牺牲层的结构,砷化铝牺牲层上是由厚度为四分之一中心波长的砷化镓和砷化镓铝构成的分布布拉格反射镜,砷化铝牺牲层的厚度为800nm~2000nm;2)清洗生长的晶片,并在晶片表面光刻出所需图形,图形为圆形,正方形,矩形或它们的组合图形;3)用湿法或干法在晶片表面非选择性的垂直腐蚀出台面,将砷化铝牺牲层的侧壁暴露出来;4)配制一定浓度的稀盐酸,在恒温水浴缸中用所配稀盐酸选择腐蚀晶片上的砷化铝牺牲层,控制温度和时间,是腐蚀不损伤牺牲层以外的其他结构;5)用特制的聚瓷氟漏勺将选择腐蚀完毕的晶片转移到盛有甲醇或丙酮的烧杯中,清洗晶片,勿使晶片露出液面;6)将盛有甲醇或丙酮中的烧杯静置于一恒温的环境之中,直到甲醇或丙酮完全挥发,取出晶片;7)用光学显微镜或扫描电镜观察晶片,测量盐稀酸侧蚀砷化铝的深度,估算稀盐酸侧蚀砷化铝的平均速率;8)以测得的侧蚀速率作为参考,选择腐蚀光刻有特定图形的含有相同砷化铝牺牲层的晶片,重复1)~7)的过程,调整腐蚀时间,直到准确得到所需几何尺寸的空气隙结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院半导体研究所,未经中国科学院半导体研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200710179381.4/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top