[发明专利]一种制备硅纳米晶薄膜的方法无效
| 申请号： | 200710179368.9 | 申请日： | 2007-12-12 |
| 公开（公告）号： | CN101457346A | 公开（公告）日： | 2009-06-17 |
| 发明（设计）人： | 陈晨;贾锐;李维龙;刘明;陈宝钦;龙世兵;谢常青;涂德钰;刘琦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/14;C23C14/02;C23C14/58;H01L21/203 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人： | 周国城 |
| 地址： | 100029*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制备硅纳米晶薄膜的方法，包括：在硅衬底上热生长二氧化硅层；将一定配比的硅粉末和二氧化硅粉末的混合物作为靶材通过磁控溅射法沉积至所述二氧化硅层上，形成富硅的混合物薄膜层；在氮气气氛下将形成的混合物薄膜层高温退火形成硅纳米晶薄层。采用本发明提供的方法制备的纳米晶直径在4至6nm，主要应用于硅单电子器件、单电子存储器、硅纳米晶浮栅存储器、纳米晶光电探测器等器件的制备中，适合大规模生产的要求。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 纳米 薄膜 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制备硅纳米晶薄膜的方法，其特征在于，该方法包括：在硅衬底上热生长二氧化硅层；将一定配比的硅粉末和二氧化硅粉末的混合物作为靶材通过磁控溅射法沉积至所述二氧化硅层上，形成富硅的混合物薄膜层；在氮气气氛下将形成的混合物薄膜层高温退火形成硅纳米晶薄层。
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