[发明专利]一种改善半导体制程中加工件背面污染的方法有效
| 申请号： | 200710178286.2 | 申请日： | 2007-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101447394A | 公开（公告）日： | 2009-06-03 |
| 发明（设计）人： | 霍秀敏 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京市德权律师事务所 | 代理人： | 李 伟 |
| 地址： | 100016北京*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改善半导体制程中加工件背面污染的方法，其中，在聚焦环底部的内边缘设置小孔，在所有工艺步骤结束后，通过聚焦环底部的小孔向加工件背面通入能够与加工件背面污染物作用的气体，保持等离子体启辉；将所述加工件底面到所述聚焦环上表面的距离调整为2～11mm；聚焦环底部的小孔呈对称设置，孔径为1～5mm；所述气体为含F基气体和氧气，其中含F基气体选自CF4、CHF3、C2F6或C4F8；通入的气体流量为50～200sccm，优选100sccm，通入时间为1～10s，优选5～10；保持上电极功率为200～400W；保持腔室压力为40～60mT。本发明的方法能够有效的清除半导体制程中加工件背面产生的聚合物，而且不会产生其他负面影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 半导体 制程中加 工件 背面 污染 方法 | ||
【主权项】：
1、一种改善半导体制程中加工件背面污染的方法，其特征在于，在聚焦环底部的内边缘设置小孔，在所有工艺步骤结束后，通过聚焦环底部的小孔向加工件背面通入能够与加工件背面污染物作用的气体，保持等离子体启辉。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
