[发明专利]立体排气环及等离子体加工装置无效
| 申请号： | 200710177738.5 | 申请日： | 2007-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN101441981A | 公开（公告）日： | 2009-05-27 |
| 发明（设计）人： | 胡谦 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/3065;H01L21/311;H01L21/3213;H01L21/205;H01L21/285;H01L21/31;H01L21/3205;H01L21/67;C23C16/44;C23C16/513;C23F4 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种立体排气环及等离子体加工装置，立体排气环为筒状的立体结构，等离子体加工装置的反应腔体内设有这种立体排气环，立体排气环的上缘与反应腔体连接，立体排气环的下缘与反应腔体内的基片卡盘连接。可以增大导通面积，而且可以对排气环不同高度层的导通面积分别设计，来调节基片上方不同高度层的抽气量，从而调节气流的均匀性。并且可以将等离子体积聚在基片上方一个更小的范围，更有利于刻蚀反应的均匀性。 | ||
| 搜索关键词： | 立体 排气 等离子体 加工 装置 | ||
【主权项】：
1、一种立体排气环，包括本体，其特征在于，所述本体为筒状结构，所述筒状结构的壁上开有多个通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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