[发明专利]静电卡盘无效
| 申请号： | 200710176233.7 | 申请日： | 2007-10-23 |
| 公开（公告）号： | CN101419929A | 公开（公告）日： | 2009-04-29 |
| 发明（设计）人： | 彭宇霖 | 申请（专利权）人： | 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京凯特来知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵镇勇 |
| 地址： | 100016北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种静电卡盘，包括基座，基座的上方设有绝缘层，基座上设有多条氦气分布沟道，绝缘层上设有多个与氦气分布沟道相通氦气孔。多个氦气孔在绝缘层上沿以绝缘层的中心为圆心的多圈圆周分布，或在绝缘层上呈蜂窝状均匀分布。促进氦气与晶片及静电卡盘的充分且均匀接触，增加静电卡盘对晶片的热传导性能，充分达到晶片的温度均匀性要求。多个氦气孔可以使用双区或多区氦气系统，对晶片中心与边缘温度的分别控制，或对晶片温度的进行多区控制。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 卡盘 | ||
【主权项】：
1、一种静电卡盘，包括基座，所述基座的上方设有绝缘层，其特征在于，所述的基座上设有多条氦气分布沟道，所述绝缘层上设有多个氦气孔，所述氦气孔与所述氦气分布沟道相通。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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